MHz振蕩器 SiT8021是世界上體積較小，功耗較低，較輕的MHz振蕩器。 它比功耗低90％，比較小的石英振蕩器小40％。 功率，封裝和頻率范圍的**的組合使得該器件成為功率敏感和空間受限應用的理想選擇。 3.072 MHz的**低電流消耗為60μA **小型1.2 mm2（1.5 x 0.8 mm）封裝 1至26 MHz，精確度為6位小數 振蕩器輸出驅動多個負載并消除XTAL 類別 LVPECL / LVDS / HCSL振蕩器LVCMOS振蕩器汽車和高溫振蕩器擴頻振蕩器電壓控制振蕩器 LVPECL / LVDS / HCSL振蕩器 SiTime為網絡，服務器，存儲和電信應用提供了廣泛的高性能差分振蕩器產品組合。 SiT91xx和SiT93xx系列在存在常見環境危害（如沖擊，振動，噪聲電源和EMI）的情況下提供較佳的抖動以及電源噪聲抑制（PSNR）。 從1 MHz到725 MHz的任何頻率，以1 Hz為增量 工業標準小型封裝的抖動（典型值）為0.23至0.6 ps ±10 ppm，較佳的動態穩定性 DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm) SiT9120 31 frequencies ±10±20±25±50 LVPECLLVDS 2.53.32.25 to 3.63 -20 to +70-40 to +85 3.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT9121 1 to 220 MHz ±10±20±25±50 LVPECLLVDS 2.53.32.25 to 3.63 -20 to +70-40 to +85 3.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT9122 220 to 625 MHz ±10±20±25±50 LVPECLLVDS 2.53.32.25 to 3.63 -20 to +70-40 to +85 3.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT9365 32 frequencies ±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -20 to +70-40 to +85 3.2x2.57.0x5.0 SiT9366 1 to 220 MHz ±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -20 to +70-40 to +85 3.2x2.57.0x5.0 SiT9367 220 to 725 MHz ±20±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.833.3 -20 to +70-40 to +85 3.2x2.57.0x5.0 關鍵資源 用于SiT9120 / 1/2和SiT3821 / 2D差分輸出終端的差分輸出終端LVPECL，HCSL，LVDS和CML用于SiT9102 / 7和SiT9002器件的LVPECL，HCSL，LVDS和CML LVCMOS振蕩器 SiTime為消費，工業，物聯網和網絡應用提供了廣泛的LVCMOS振蕩器產品組合。 這些器件提供較小的尺寸和較低的功耗。 另外，它們有各種各樣的包裝。 1至220 MHz，精度為6位小數位 功耗較低，低至60μA 較佳的頻率穩定度，精確到±10 ppm 較小的占地面積（1508）以及行業標準的占地面積（2016年，2520年，3225年，5032年和7050年） SOT23-5含鉛封裝的較佳可制造性 用于降低EMI的FlexEdge?壓擺率選項：0.25 ns至40 ns可配置的上升/下降時間 DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm) SiT1602 52 frequencies ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -20 to +70-40 to +85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT2001 1 to 110 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -20 to +70-40 to +85 SOT23(2.9x2.8) SiT2002 115 to 137 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -20 to +70-40 to +85 SOT23(2.9x2.8) SiT8008 1 to 110 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -20 to +70-40 to +85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT8009 115 to 137 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -20 to +70-40 to +85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT8208 1 to 80 MHz ±10±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -20 to +70-40 to +85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT8209 80 to 220 MHz ±10±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -20 to +70-40 to +85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 關鍵資源 單端振蕩器驅動單端或多端負載的終止建議SiT8103，SiT8003和SiT9003的上升和下降時間選擇 汽車和高溫振蕩器 SiTime的汽車（AEC-Q100）和高溫振蕩器可在-55°C至125°C范圍內提供±20 ppm的頻率穩定性。 與石英相比，它們的穩定性好2倍，可靠性高20倍，抗沖擊和振動性高30倍。 1至137 MHz，精確度為6位小數位 *（-55至125°C），汽車（-40至125°C），擴展工業（-40至105°C）溫度 低振動靈敏度（克靈敏度）為0.1 ppb / g 50,000克沖擊和70克抗振動 5億小時MTBF DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm) SiT1618 33 frequencies ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +105-40 to +125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT2018 1 to 110 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +105-40 to +125 SOT23(2.9x2.8) SiT2019 115 to 137 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +105-40 to +125 SOT23(2.9x2.8) SiT2020 1 to 110 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -55 to +125 SOT23(2.9x2.8) SiT2021 119 to 137 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -55 to +125 SOT23(2.9x2.8) SiT2024 1 to 110 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125 SOT23(2.9x2.8) SiT2025 115 to 137 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125 SOT23(2.9x2.8) SiT8918 1 to 110 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +105-40 to +125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT8919 115 to 137 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +105-40 to +125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT8920 1 to 110 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -55 to +125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT8921 119 to 137 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -55 to +125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT8924 1 to 110 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT8925 115 to 137 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125 2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT9386 1 to 220 MHz ±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -40 to +85-40 to +105 3.2x2.57.0x5.0 SiT9387 220 to 725 MHz ±25±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -40 to +85-40 to +105 3.2x2.57.0x5.0 SiT9025 1 to 150 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125 2.0x1.6 mm2.5x2.0 mm3.2x2.5 mm SiT8926 137 to 150 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125 2.0x1.6 mm2.5x2.0 mm3.2x2.5 mm 關鍵資源 利用高溫，**強健的MEMS振蕩器提高汽車的可靠性和性能 擴頻振蕩器 SiTime的EMI降低振蕩器通過擴頻時鐘和時鐘信號的上升/下降時間調整來確保發射順應性。 SiTime的Time Machine II編程器支持他們，工程師可以快速降低排放水平并確保客戶通過合規。 基頻高達17 dB，諧波高達30 dB 廣泛的傳播范圍：高達4％包到包 FlexEdge?可配置的上升/下降時間選項：0.25 ns至40 ns的壓擺率 DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm) SiT9002 1 to 220 MHz ±25±50 LVPECLLVDSCMLHCML 1.82.53.3 -20 to +70-40 to +85 5.0x3.27.0x5.0 SiT9003 1 to 110 MHz ±50±100 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20 to +70-40 to +85 2.0x1.62.5x2.05.0x3.27.0x5.0 SiT9005 1 to 141 MHz ±20±25±50 LVCMOS 1.82.5 to 3.3 -20 to +70-40 to +85 2.0x1.62.5x2.03.2x2.5 關鍵資源 SiTime擴頻時鐘振蕩器（SiT9001 / 2/3）SiT8103，SiT8003和SiT9003的上升和下降時間選擇 電壓控制振蕩器VCXO SiTime MEMS VCXO為視頻分配（CMTS），網絡，電信和儀器應用提供了出色的動態性能和較高的可靠性。 這些器件經過精心設計，可在存在常見環境危害（如沖擊，振動，噪聲電源和EMI）的情況下保持相同的相位噪聲和頻率調諧精度。 它們使諸如有線電視前端和遠程無線電頭端（RRH）等設備能夠在不受控制的環境中提供較高的性能，較佳的可靠性和較高的服務質量，如未調節的地下室或屋頂。 從1 MHz到725 MHz的任何頻率，1 Hz步進 ±15 ppm，在整個溫度范圍內（-40至+85°C）具有較佳動態穩定性 0.02 ps / mV電源噪聲抑制（PSNR），降低電源要求 較佳（0.1％）和較寬（±25至±3200 ppm）的拉程線性，比石英好50倍 DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm) SiT3372 10 to 220 MHz ±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -20 to +70-40 to +85 3.2x2.57.0x5.0 SiT3373 220 to 725 MHz ±25±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -20 to +70-40 to +85 3.2x2.57.0x5.0 SiT3807 31 frequencies ±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20 to +70-40 to +85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT3808 1 to 80 MHz ±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20 to +70-40 to +85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 SiT3809 80 to 220 MHz ±25±50 LVCMOS 1.82.52.83.3 -20 to +70-40 to +85 2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0 關鍵資源 VCXO規格的定義VCXO參數權衡PLL設計 張培星 手機：+86 177 1906 1040 ATR CO.,LIMITED 平頂山市微龍電子科技有限公司 Tel:+86 - 375 3357 600 地址：中國-河南省郟縣薛店李莊1號 E-mail: 1186714975@ 工作QQ：1186714975 微信：atr17719061040
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信息編號：87002729公司編號：13599396
Q Q號碼：1215868722
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