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    晶閘管通態電流上升率:元件通態電流上升率的臨界重復值。其對應不重復測試值為重復值的2倍以上,在使用過程中,必須**元件導通期任何時候的電流上升率都不能**過其重復值;
    晶閘管元件的選擇:
    正確地選擇晶閘管、整流管等電力電子器件對**整機設備的可靠性及降低設備成本具有重要意義。元件的選擇要綜合考慮其使用環境、冷卻方式、線路型式、負載性質等因素,在**所選元件各參數具有裕量的條件下兼顧經濟性。由于電力電子器件的應用領域十分廣泛,具體應用形式多種多樣。
    晶閘管的伏安特性
    晶閘管陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽極電流之間關系稱為晶閘管伏安特性,如圖2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于*三象限。
    (1) 反向特性
    當門較G開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后,同時J3結也擊穿,電流迅速增加,如圖2的特性曲線OR段開始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉折電壓”。此后,晶閘管會發生性反向擊穿。
    (2) 正向特性
    當門較G開路,陽極A加上正向電壓時(見圖4),J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,如圖2的特性曲線OA段開始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉折電壓”。
    由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后,J2結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子進入N1區,空穴進入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合。同樣,進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合,雪崩擊穿后,進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部復合掉。這樣,在N1區就有電子積累,在P2區就有空穴積累,結果使P2區的電位升高,N1區的電位下降,J2結變成正偏,只要電流稍有增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性,見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結均處于正偏,晶閘管便進入正向導電狀態——通態,此時,它的特性與普通的PN結正向特性相似,如圖2的BC段。
    (3) 觸發導通
    在門較G上加入正向電壓時(如圖5所示),因J3正偏,P2區的空穴進入N2區,N2區的電子進入P2區,形成觸發電流IGT。在晶閘管的內部正反饋作用(如圖2)的基礎上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導通,導致圖2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
    泉州晶閘管
    晶閘管(SCR)
    晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。
    晶閘管的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統中,晶閘管在整流電路、靜態旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。
    晶閘管的弱點:靜態及動態的過載能力較差,容易受干擾而誤導通。
    晶閘管從外形類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
    泉州晶閘管
    晶閘管的選用
    1、選擇晶閘管的類型:晶閘管有多種類型,應根據應用電路的具體要求合理選用。
    若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等,可選用普通單向晶閘管。
    若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中,應選用雙向晶閘管。
    若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等,可選用門較關斷晶閘管。
    若用于鋸齒波發生器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發電路等,可選用BTG晶閘管。
    若用于電磁灶、電子鎮流器、超聲波電路、**導磁能儲存系統及開關電源等電路,可選用逆導晶閘管。
    若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行電路,可選用光控晶閘管。
    2、選擇晶閘管的主要參數:晶閘管的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。
    所選晶閘管應留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態平均電流)均應**受控電路的工作電壓和工作電流1.5~2倍。
    晶閘管的正向壓降、門較觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路(指門較的控制電路)的各項要求,不能偏高或偏低,否則會影響晶閘管的正常工作。
    泉州晶閘管
    晶閘管的主要參數
    (1)斷態重復峰值電壓UDRM
    門較開路,重復率為每秒50次,每次持續時間不大于10ms的斷態脈沖電壓,UDRM=90%U*,U*為斷態不重復峰值電壓。U*應比UBO小,所留的裕量由生產廠家決定。
    (2)反向重復峰值電壓URRM
    其定義同UDRM相似,URRM=90%URSM,URSM為反向不重復峰值電壓。
    (3)額定電壓
    選UDRM和URRM中較小的值作為額定電壓,選用時額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍,應能承受經常出現的過電壓。

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