鑒別可控硅三個的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個之間的電阻值就可以。
陽與陰之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽和控制之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽和控制正反向都不通）；
控制與陰之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制二管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制反向電阻比較小，并不能說明控制特性不好。另外，在測量控制正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制反向擊穿。
若測得元件陰陽正反向已短路，或陽與控制短路，或控制與陰反向短路，或控制與陰斷路，說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。

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