關注現代電力電子技術的發展的技術基礎。
同步整流技術就是采用通態電阻較低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC-DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓造成的死區電壓。功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。用功率MOSFET做整流器時，要求柵較電壓的相位必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。
同步整流的MOSFET控制通常分為三種方式，即由變壓器繞組直接驅動控制、由控制IC驅動控制及專用驅動控制電路控制。對于非隔離型變換器，同步整流的MOSFET控制通常由控制IC驅動控制，具有控制時序準確、驅動電壓恒定、不受輸入或輸出電壓影響的優點；對于隔離型變換器，同步整流的MOSFET控制通常采用另外兩種方式。
目前，同步整流技術在DC-DC模塊電源領域得到了廣泛的應用。隨著MOSFET設計工業技術的進步，當今的MOSFET的性能大大提高。例如，IR公司的MOS管IRF7821，其較大導通電阻僅為9.1mΩ，開關時間小于10ns，柵電荷僅9.3nC，而且在邏輯電平下驅動即可。同步整流技術幾乎可以應用到各種電路拓撲，并且可以與其他技術相結合，從而形成了各具特色的同步整流技術。例如，有源鉗位技術與同步整流技術結合，實現了軟開關同步整流技術，進一步降低了同步整流MOS管的開關損耗，效率也得到了進一步提高。同步整流技術的關鍵在同步整流管的驅動控制上，不同的驅動方式對效率的影響有較大差別。
（4）軟開關功率變換技術通時，二極管反向恢復過程已經結束，因此二極管反向恢復問題亦不存在。di/dt和dv/dt的降低使得EMI問題得以解決。由此可見：軟開關技術在改善功率器件開關條件方面效果明顯，使化成為可能。近年來，對軟開關技術的深入研究使電力電子變換器的設計發生了性的變化。軟開關技術的應用使電力電子變換器具有更高的效率、更高的功率密度、更高的可靠性。正因為如此，軟開關技術從理論一出現就顯示出了蓬勃的生命力，受到各國專家學者的廣泛重視，至今仍是電力電子領域比較活躍的研究方向之一。
軟開關的分類方法有很多，廣義上的軟開關可以分為借助電路控制信號的合理安排以實現軟開關，泛稱為控制型軟開關電路；在電路中增設緩沖電路以實現軟開關，泛稱為緩沖型軟開關電路；在直流側或交流側設置諧振電路以實現軟開關，泛稱諧振型軟開關電路。而本書所指的狹義軟開關變換器，從功率器件實現軟開關

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