aN材料系列是一種理想的短波長發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質(zhì)結(jié)GaN藍(lán)色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)**亮度藍(lán)色LED、InGaN單**阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單**阱GaN藍(lán)色和綠色 LED已進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，從而填補(bǔ)了市場上藍(lán)色LED多年的空白。以發(fā)光效率為標(biāo)志的LED發(fā)展歷程見圖3。藍(lán)色發(fā)光器件在高密度光盤的信息存取、全光顯示、激光打印機(jī)等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用市場。隨著對(duì)Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發(fā)工作的不斷深入，GaInN**高度藍(lán)光、綠光LED技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商品化，現(xiàn)在世界各大公司和研究機(jī)構(gòu)都紛紛投入巨資加入到開發(fā)藍(lán)光LED的競爭行列

在探測(cè)器方面，已研制出GaN紫外探測(cè)器，波長為369nm，其響應(yīng)速度與Si探測(cè)器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測(cè)器將在火焰探測(cè)、預(yù)警等方面有重要應(yīng)用。

電學(xué)特性
GaN的電學(xué)特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品，都是高補(bǔ)償?shù)摹?br/>很多研究小組都從事過這方面的研究工作，其中中村報(bào)道了GaN遷移率數(shù)據(jù)在室溫和液氮溫度別為μn=600cm2/v·s和μn= 1500cm2/v·s，相應(yīng)的載流子濃度為n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年報(bào)道的MOCVD沉積GaN層的電子濃度數(shù)值為4 ×1016/cm3、<1016/cm3；等離子激活MBE的結(jié)果為8×103/cm3、<1017/cm3。
未摻雜載流子濃度可控制在1014～1020/cm3范圍。另外，通過P型摻雜工藝和Mg的低能電子束輻照或熱退火處理，已能將摻雜濃度控制在1011～1020/cm3范圍。

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。

公司是生產(chǎn)高**屬材料，蒸發(fā)鍍膜材料以及濺射材的應(yīng)用開發(fā)的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以擁有多名中技術(shù)人員和化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，具有很強(qiáng)的蒸發(fā)材料開發(fā)能力。公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國內(nèi)外眾多電子、太陽能企業(yè)當(dāng)中，以較高的性價(jià)比，成功發(fā)替代了國外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶好。